| 摘要 |
一种硫化金属奈米线及其阵列之制造方法，系可利用电化学沉积(Electrodeposition)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)、物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)等方法沉积一金属结合硫元素以形成一硫化金属奈米线阵列，藉此，使可利用该硫化金属奈米线阵列以制备成感测器，并因该硫化金属奈米线阵列易与待测物质产生连结，故可使其作为通道，且亦因该硫化金属奈米线阵列其线径极为细微，对气体感测具有极大的反应表面积，而可有效提高对待测物质及气体感测之灵敏度及反应时间，另，因其制造简单且成本低廉，故可大幅降低制造所需之成本及工时。 |
