| 摘要 |
<p>In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens dient dieses zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) und umfasst die Schritte:–Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (2) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (3), wobei die Leiterrahmen (3) je mindestens zwei Leiterrahmenteile (34, 38) umfassen und die Leiterrahmen (3) in dem Leiterrahmenverbund (2) durch Verbindungsstege (6) elektrisch miteinander verbunden sind,–Anbringen des Leiterrahmenverbunds (2) auf einem Zwischenträger (12),–Entfernen und/oder Unterbrechen mindestens eines Teils der Verbindungsstege (6),–Anbringen von zusätzlichen elektrischen Verbindungsmitteln (4) zwischen benachbarten Leiterrahmen (3) und/oder Leiterrahmenteilen (34, 38),–Erstellen eines Vergusskörpers (50), wobei der Vergusskörper (50) die Leiterrahmenteile (34, 38) der einzelnen Leiterrahmen (3) mechanisch miteinander verbindet, und–Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).</p> |
