| 摘要 |
1. Мощный транзистор СВЧ, содержащий базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты, отличающийся тем, что базовая подложка из кремния, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза, а на поверхности эпитаксиальной структуры последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерный слой из двуокиси гафния, толщиной 1,0-4,0 нм, который в области затвора размещен под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен из AlN.3. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен из HfN. |
