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Eine Halbleiterschaltvorrichtung enthält ein Gehäuse (1) und ein Halbleiterschaltelement (2), das in dem Gehäuse (1) bereitgestellt ist und das eine Kollektorelektrode (2a) und eine Emitterelektrode (2c) aufweist. Ein Hauptkollektoranschluss (4) und ein Hauptemitteranschluss (5) widerspiegeln einen Spannungsabfall, der während des Anlegens eines Stroms durch eine erdfreie Komponente (21) in dem Gehäuse (1) erzeugt wird. Ein zweiter Kollektoranschluss (6) und ein zweiter Emitteranschluss (8) detektieren eine Spannung zwischen der Kollektorelektrode (2a) und der Emitterelektrode (2c), ohne den Spannungsabfall zu widerspiegeln. Ein dritter Emitteranschluss (9) ist in der Nähe des zweiten Emitteranschlusses (8) angeordnet und detektiert den zwischen dem Hauptemitteranschluss (5) und dem zweiten Emitteranschluss (8) erzeugten Spannungsabfall.
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