| 发明名称 | 制作鳍形场效应晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作鳍形场效应晶体管的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有矩形的凸起和包围所述凸起的牺牲层，所述凸起包括位于所述半导体衬底上的硅鳍片和位于所述硅鳍片上的材料层，所述硅鳍片是由硅形成的，所述材料层的至少与所述晶体管的源漏区对应的部分是由锗硅形成的；b)在所述凸起和所述牺牲层上形成保护层；c)执行锗扩散工艺，以使所述材料层中的锗向其下方的所述硅鳍片中扩散；d)去除所述硅鳍片以上的部分；以及e)去除所述牺牲层，以形成锗硅鳍片。根据本发明的方法可以保证形成的锗硅鳍片尺寸满足要求，避免出现桥连现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103165455A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110415437.8 | 申请日期 | 2011.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作鳍形场效应晶体管的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有矩形的凸起和包围所述凸起的牺牲层，所述凸起包括位于所述半导体衬底上的硅鳍片和位于所述硅鳍片上的材料层，所述材料层的至少与所述晶体管的源漏区对应的部分是由锗硅形成的；b)在所述凸起和所述牺牲层上形成保护层；c)执行锗扩散工艺，以使所述材料层中的锗向其下方的所述硅鳍片中扩散；d)去除所述硅鳍片以上的部分；以及e)去除所述牺牲层，以形成锗硅鳍片，所述锗硅鳍片与所述硅鳍片具有相同的尺寸。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||