发明名称 |
双载子电晶体组件结构及其制造方法 |
摘要 |
一种双载子电晶体组件结构及其制造方法,所述双载子电晶体组件结构包括基板、闸极、源极、漏极、介电层、双极性半导体层与载子阻挡层。闸极配置于基板上。源极与漏极配置于基板上且位于闸极的两侧。介电层配置于闸极及源极与漏极之间。双极性半导体层至少配置于源极与漏极之间。载子阻挡层配置于双极性半导体层及源极与漏极之间。所述制造方法包括在基板上形成一源极与一漏极;于所述基板上形成一载子阻挡层及一双极性半导体层;于所述双极性半导体层上形成一介电层;以及于所述源极与所述漏极之间的所述介电层上形成一闸极,其中所述介电层将所述闸极、所述源极和所述漏极隔开。 |
申请公布号 |
CN103165595A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201210089928.2 |
申请日期 |
2012.03.28 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
宋兆峰;谢彦敏 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
祁建国;尚群 |
主权项 |
一种双载子电晶体组件结构,其特征在于,包括:一闸极,配置于一基板上;一源极与一漏极,配置于所述基板上且位于所述闸极的两侧;一介电层,配置于所述闸极及所述源极与所述漏极之间;一双极性半导体层,至少配置于所述源极与所述漏极之间;以及一载子阻挡层,配置于所述双极性半导体层及所述源极与所述漏极之间。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号 |