| 发明名称 | 在复合结构上制造外延生长层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过外延生长制造材料的方法，其包括在复合结构(14)上外延生长至少一层材料(15)的步骤。所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底(10)上的薄膜(4)，在载体衬底(10)和薄膜(4)之间沉积形成结合层(25)，薄膜(4)和载体衬底(10)的平均热膨胀系数为7×10-6K-1或更高。通过在载体衬底(10)的结合面和/或薄膜(4)的结合面上低压化学气相沉积(LPCVD)硅氧化物层而形成所述氧化物结合层(25)。薄膜(4)的厚度小于或等于氧化物层的厚度。所述方法还包括在高于沉积硅氧化物层的温度下进行预定时间的热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101925995B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200980102590.6 | 申请日期 | 2009.01.06 |
| 申请人 | 硅绝缘技术公司 | 发明人 | B·福雷;A·马尔科韦基奥 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 一种通过外延生长制造材料的方法，所述方法包括在复合结构(14)上外延生长至少一层材料(15)的步骤，所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底(10)上的薄膜(4)，在载体衬底(10)和薄膜(4)之间沉积形成氧化物结合层(25)，所述薄膜和载体衬底的平均热膨胀系数为7×10‑6K‑1或更高，其特征在于，所述氧化物结合层(25)是通过在载体衬底(10)的结合面和/或薄膜(4)的结合面上低压化学气相沉积(LPCVD)硅氧化物层而形成，所述薄膜的厚度小于或等于所述氧化物层的厚度，以及所述方法包括在高于沉积硅氧化物层的温度下进行预定时间的热处理。 | ||
| 地址 | 法国贝尔南 | ||