大樱桃砧木G-7快速繁殖方法

摘要

本发明公开了一种大樱桃砧木G-7快速繁殖方法，它包括以下步骤：(1)无菌系建立切取大樱桃砧木G-7新梢顶端茎段接入启动分化培养基，所述培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖10～30g、琼脂粉4～7g、6-苄氨基嘌呤0.1～0.6mg、吲哚乙酸0.1～0.3mg；(2)扩繁继代培养，接入扩繁继代培养基，所述培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖20～30g、琼脂粉4～7g、6-苄氨基嘌呤0.2～1.0mg、吲哚乙酸0.1～0.5mg、吲哚丁酸0.1～0.5mg；(3)生根培养接入生根培养基，所述培养基为在1升1/2MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖10～20g、琼脂粉4～7g、吲哚乙酸0.3～0.8mg、吲哚丁酸0.1～0.4mg、活性炭2～5g；(4)炼苗培养和移栽。

主权项

一种大樱桃砧木G‑7快速繁殖方法，其特征在于，它包括以下步骤：(1)无菌系建立切取大樱桃砧木G‑7新梢顶端3～4节2～3cm长的茎段，依次用洗洁精清洗、酒精和升汞溶液消毒后，切成1.5～2cm长单芽茎段，作为外植体接入装有启动分化培养基的培养瓶，该启动分化培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖10～30g 琼脂粉4～7g 6‑苄氨基嘌呤0.1～0.6mg 吲哚乙酸0.1～0.3mg，将所述培养瓶置于培养室培养，培养条件为：温度20～26℃，湿度55～75％，光照强度2000～2500Lx，光照时间14小时/天；(2)扩繁继代培养选取步骤(1)中2～4cm长组培苗为材料，切成1.3～1.7cm长的带芽茎段接入装有扩繁继代培养基的培养瓶中培养，该扩繁继代培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖20～30g 琼脂粉4～7g 6‑苄氨基嘌呤0.2～1.0mg  吲哚乙酸0.1～0.5mg  吲哚丁酸0.1～0.5mg，培养条件为：温度22～28℃，湿度55～75％，光照强度1800～2800Lx，光照时间16小时/天；(3)生根培养选取步骤(2)中2～6cm长组培苗为材料，切成长1.6～2.0cm带顶芽或侧芽茎段接入装有生根培养基的培养瓶中培养，该生根培养基为在1升1/2MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成：白砂糖10～20g 琼脂粉4～7g 吲哚乙酸0.3～0.8mg 吲哚丁酸0.1～0.4mg 活性炭2～5g，培养条件为：温度22～26℃，湿度55～75％，光照强度1800～2400Lx，光照时间12小时/天；(4)炼苗培养和移栽包括如下环节：闭瓶锻炼、开瓶锻炼、移栽到蛭石基质、移栽到由细砂石、森林土、牛粪组成的营养土中。