一种低介电常数材料前驱体的合成方法

摘要

本发明属于集成电路互连介质材料技术领域，具体为一种低介电常数材料前驱体的合成方法，即为一种七缺角的笼型倍半硅氧烷（POSS）单体合成改性POSS聚合物的方法。本发明由七缺角笼型倍半硅氧烷（POSS）单体和不饱和化合物1,5-己二烯进行加成反应，制备改性的POSS聚合物的方法。该改性聚合物可作为低介电常数材料的前驱体，用于集成电路互连介质。由于该改性聚合物中含有无机和有机化学键成份，因此兼具无机和有机材料的复合性能。此外，该聚合物本身含有约2-3nm的闭合孔径，因此可以有效降低材料本身的介电常数，是深亚微米集成电路互连所需的低介电常数介质薄膜的理想前驱体。

主权项

一种低介电常数材料前驱体的合成方法，低介电常数材料前驱体为网状结构POSS大分子聚合物， 其特征在于合成的具体步骤为：将POSS单体、不饱和化合物1,5‑己二烯、催化剂海绵铂混合，加入溶剂甲苯，将混合后的原料和溶剂加入反应容器schlank管，POSS单体、不饱和化合物1,5‑己二烯、海绵铂、甲苯的摩尔比例为：(9.77‑10.95)×10‑5：(1.5‑1.91)×10‑4：(4.4‑5.2)×10‑5：（0.12‑0.15）；将schlank管放入液氮冷却，直到体系中的液态逐渐转变成固态，反应过程中，使用高纯氮气作为保护气氛，反应时间20‑28小时，反应温度保持在38—45℃；反应结束后将溶液用砂芯漏斗过滤反应剩下的铂催化剂，得到澄清透明溶液。