掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO，其中，0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c＝0.3、d＝0.6且a+b+c+d＝1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于玻璃基板中心上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层中部上端，位于栅极正上方，沟道层左右两端伸出栅极；源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。

主权项

一种掺杂氧化锌半导体材料，其特征在于：在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO，其中，0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c=0.3、d=0.6且a+b+c+d=1。