发明名称 差分电感仿真方法
摘要 本申请公开了一种差分电感仿真方法,考虑工艺波动的影响,根据工艺线上的金属线宽监控值添加反应工艺波动的线宽统计分布修正项,对差分电感的金属线宽度、金属线间距、金属电阻率进行修正,根据修正后的差分电感的金属线宽度、金属线间距、金属电阻率,通过常规差分电感模型对差分电感仿真,得到差分电感的仿真电感值和Q值。本申请的差分电感仿真方法,能将工艺波动造成的随机差异反映出来,仿真能得到电感值和Q值的差异分布,使包含差分电感的半导体产品在生产前能较好的预测。
申请公布号 CN103164562A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201110428361.2 申请日期 2011.12.19
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 王正楠
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王江富
主权项 一种差分电感仿真方法,其特征在于,包括以下步骤:一.建立常规差分电感模型;二.获得不考虑工艺波动的差分电感的金属线宽度、金属线间距、金属线电阻率、电感圈数、电感外径;三.对不考虑工艺波动的金属线宽度W、金属线间距S、金属线电阻率ρ进行修正,得到修正后的金属线宽度W′、修正后的金属线间距S′、修正后金属线电阻率ρ′;W′=W+wm*agauss(0,1,1);S′=S+2wm*agauss(0,1,1); <mrow> <msup> <mi>&rho;</mi> <mo>&prime;</mo> </msup> <mo>=</mo> <mi>&rho;</mi> <mo>+</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>*</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <msqrt> <mi>S</mi> </msqrt> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mi>sx</mi> </msup> <mo>*</mo> <mi>agauss</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mn>0,1,1</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mo>+</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>*</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <msqrt> <mi>W</mi> </msqrt> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mi>wx</mi> </msup> <mo>*</mo> <mi>agauss</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mn>0,1,1</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mo>;</mo> </mrow>上式中,W′为修正后的金属线宽度,W为不考虑工艺波动的金属线宽度,wm为金属线宽度修正系数,S′为修正后的金属线间距,S为不考虑工艺波动的金属线间距,ρ′是修正后金属线电阻率,ρ是不考虑工艺波动的金属线电阻率,ρ1是电阻率随金属线间距变化的失配修正系数,ρ2是电阻率随金属线宽度变化的失配修正系数,sx是金属线间距指数修正项,wx是金属线宽度指数修正项,agauss(0,1,1)是高斯函数,其括号中(0,1,1)的第1项的0表示高斯函数的中心值在0,括号中第2项的1表示高斯函数曲线从中心值0到左右两边的最大sigma幅值为1,括号中第3项中的1表示高斯函数的sigma数为1;四.根据不考虑工艺波动的电感圈数、电感外径及修正后的金属线宽度、修正后的金属线间距、修正后金属电阻率,通过常规差分电感模型对差分电感仿真,得到差分电感的仿真电感值和Q值。
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