发明名称 |
一种半导体气密封装结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明系揭露一种半导体封装结构及其制造方法,其包含:一基板、一第一导体层、一半导体元件、一第二导体层,以及一上盖。该基板具一第一表面与一第二表面;该第一导体层设置于该基板的该第一表面;该半导体元件电性连接于该第一导体层;该第二导体层设置于该基板第一表面,围绕该导体元件与该第一导体层,且该第二导体层高度高于该第一导体层;该上盖粘着于该第二导体层上端,以密封该半导体元件。 |
申请公布号 |
CN103165569A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201210389643.0 |
申请日期 |
2012.10.15 |
申请人 |
同欣电子工业股份有限公司 |
发明人 |
吕绍萍 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
胡林岭 |
主权项 |
一种半导体封装结构,至少包含:一基板,该基板具有第一表面、第二表面,以及金属接点,该金属接点从该基板的该第一表面贯穿该基板至该第二表面;一第一导体层,该第一导体层设置于该基板的该第一表面,且连接该金属接点;一半导体元件,该半导体元件电性连接至该第一导体层于该基板的该第一表面;一第二导体层,该第二导体层设置于该基板的该第一表面,且围绕该第一导体层与该半导体元件,且该第二导体层高度高于该第一导体层;以及一上盖,该上盖粘接至该第二导体层顶部,以封装该半导体元件。 |
地址 |
中国台湾台北市中正区延平南路83号6楼 |