发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种具有其阈值受控且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的制造方法。本发明的技术要点如下:在栅电极上形成栅极绝缘膜,在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜,通过离子注入法将用来控制阈值的杂质元素添加到微晶半导体膜中,然后通过照射激光束改善微晶半导体膜的结晶性。接着,在微晶半导体膜上形成缓冲层,以形成沟道蚀刻型薄膜晶体管。进而还制造具有该薄膜晶体管的显示装置。 |
申请公布号 |
CN101355037B |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN200810144368.X |
申请日期 |
2008.07.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
何欣亭;刘宗杰 |
主权项 |
一种显示装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成栅电极;在所述栅电极上形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成第一半导体膜;将第一杂质添加到所述第一半导体膜中,该第一杂质赋予第一导电类型或第二导电类型;在将所述第一杂质添加到所述第一半导体膜中之后,用激光照射所述第一半导体膜;在用激光照射所述第一半导体膜之后,在所述第一半导体膜上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成第二半导体膜,该第二半导体膜包含赋予所述第一导电类型的第二杂质;以及在所述第二半导体膜上形成源电极及漏电极,其中,所述第一半导体膜是微晶半导体膜。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |