| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；依次位于半导体衬底上的刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；位于半导体衬底上，且依次被超低K介质层和刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。所述制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层和超低K介质层；依次刻蚀超低K介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成沟槽；在沟槽中填充满金属层；对金属层进行平坦化处理，金属层的上表面与超低K介质层的上表面齐平。本发明可以提高半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103165576A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110413955.6 | 申请日期 | 2011.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣;洪中山 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；位于所述半导体衬底上，且依次被所述超低K介质层和所述刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||