| 发明名称 | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu<sub>2</sub>Se热电材料粉体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，按化学计量比2:1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物，采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体。本发明采用自蔓延高温合成工艺，不仅具有反应时间短、工艺简单、对设备要求低、能耗低、对环境无污染等优点，而且产物化学计量比控制精确、原位形成分布均匀的纳米结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103165809A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201310087520.6 | 申请日期 | 2013.03.19 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 唐新峰;付帆;张海龙;任广坤 |
| 分类号 | H01L35/16(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C01B19/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于按化学计量比2∶1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物，采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||