发明名称 |
提高通孔刻蚀稳定性的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种提高通孔刻蚀稳定性的方法,包括:获取已完成刻蚀工艺的通孔的第一通孔孔径值;将所述第一通孔孔径值与目标尺寸比较,得到偏差;对所述偏差进行判断,若所述偏差小于1纳米,进行后续通孔刻蚀;若所述偏差在1~2纳米之间,在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤或者减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量;若所述偏差在2~5纳米之间,在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤和减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量。所述方法不需要对刻蚀腔体进行人为保养维护,改善通孔刻蚀的稳定性,实现通孔刻蚀与钝化层刻蚀在同一刻蚀腔体进行。 |
申请公布号 |
CN102237298B |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201010168890.9 |
申请日期 |
2010.04.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
张海洋;韩宝东;周俊卿 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种提高通孔刻蚀稳定性的方法,其特征在于,包括:获取已完成刻蚀工艺的通孔的第一通孔孔径值,所述第一通孔孔径为后续通孔刻蚀前选取上一批次通孔刻蚀产品的通孔孔径或利用通孔刻蚀测试片进行通孔刻蚀测试获得的通孔孔径;将所述第一通孔孔径值与目标尺寸比较,得到偏差;对所述偏差进行判断,若所述偏差小于1纳米,进行后续通孔刻蚀;若所述偏差为1~2纳米,在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤或者减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量;若所述偏差在2~5纳米之间,在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤和减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |