发明名称 互连结构的制造方法
摘要 一种互连结构的制造方法,通过在金属层两侧沉积遮挡层将金属层顶部由金属层围成的开口缩小,然后再对开口进行封口,以在金属层之间形成较大空气隙,有效降低RC延迟,提高了包括所述互连结构的半导体器件的电学特性。
申请公布号 CN103165518A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201110407271.5 申请日期 2011.12.08
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 周鸣
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底上形成低k介质层;在所述低k介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层;去除部分低k介质层,形成由所述金属层围成的开口;通过高深宽比工艺向所述开口中填充介质材料,形成遮挡层,所述遮挡层内部包含竖直方向的孔洞;平坦化所述遮挡层以及位于遮挡层内部的金属层,至暴露出金属层和孔洞;对所述遮挡层进行湿法清洗,至所述孔洞底部暴露出低k介质层;去除位于所述遮挡层下的低k介质层;向所述孔洞中填充介质材料,封闭孔洞,形成空气隙。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号