发明名称 |
一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽;且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl,Wu=du/0.71,Wl=dl/0.71,du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值,dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀,形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构,然后对所得监控结构进行监视,从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度,成本较低,并可达到较高的监控精度。 |
申请公布号 |
CN103165579A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201110413966.4 |
申请日期 |
2011.12.13 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
张新伟;夏长奉;范成建;苏巍 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01B11/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种硅湿法腐蚀深度的监控结构,其特征在于,包括:形成在单晶硅材料上的至少两个湿法腐蚀凹槽;所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形,其中至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl,Wu=du/0.71,Wl=dl/0.71,du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值,dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |