发明名称 倒装芯片凸点的制备方法
摘要 本发明属于半导体封装领域,其公开了一种倒装芯片凸点的制作方法,包括如下步骤:将纳米银颗粒浆料制备在芯片背面的金属层表面;在金属层表面设置好凸点间距;无氧气氛下,进行低温回流处理,获得金属凸点;并通过焊接技术,将芯片通过凸点倒装在基板上,实现倒装芯片与基板的互连。本发明采用微纳米银颗粒浆料作为热界面材料,可以与现有的封装设备与生产线相匹配,也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料,在较低的温度下获得纳米凸点,可以有效地降低生产成本、提高生产效率。
申请公布号 CN103165480A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201110421872.1 申请日期 2011.12.15
申请人 北京大学深圳研究生院 发明人 刘葳;金鹏
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种倒装芯片凸点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将纳米银颗粒浆料制备在芯片电极金属层表面;S2、无氧气氛下,对步骤S2进行低温回流处理,获得带纳米凸点的芯片;S3、并通过焊接技术,将芯片通过凸点倒装在基板上,完成倒装芯片封装。
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