发明名称 | 超声探测器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种超声探测器及其制造方法。这里公开了具有由改变声阻的结构形成的衬垫层的超声探测器及其制造方法。该超声探测器包括压电层以及提供在压电层的后表面上的衬垫层,该衬垫层包括在其前表面上沿长度方向形成的多个切口,该前表面邻近压电层的后表面,切口形成为使得切口之间的间隔改变。 | ||
申请公布号 | CN103156640A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201210538800.X | 申请日期 | 2012.12.13 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金东铉 |
分类号 | A61B8/00(2006.01)I | 主分类号 | A61B8/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
主权项 | 一种超声探测器,包括:压电层;以及衬垫层,提供在所述压电层的后表面上,其中所述衬垫层包括在其前表面上沿长度方向形成的多个切口,所述衬垫层的所述前表面邻近所述压电层的所述后表面,所述切口形成为使得所述切口之间的间隔改变。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |