用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。

主权项

一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法包括；通过在装载有基材的腔室中供给源气体来在所述基材上沉积多晶硅薄膜，其中，所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体其中，所述多晶硅薄膜中的氮含量为16.4×1020原子/cc至44.0×1020原子/cc，或所述多晶硅薄膜中的氮含量为2.93原子%至8.82原子%，其中，所述多晶硅薄膜的晶粒度为63埃至108.5埃，其中，所述多晶硅薄膜的折射率为3.8～4.5，其中，所述沉积方法在650℃～750℃的温度和5托～100托的压力下进行，所述氮基气体为氨NH3，所述硅基气体为硅烷SiH4，所述磷基气体为膦PH3，所述源气体中氮基气体与硅基气体的混合比为0.007～0.017。