氮化物半导体模板和发光二极管

摘要

本发明提供一种低电阻且结晶性良好的氮化物半导体模板、和使用其的发光二极管。氮化物半导体模板（10）具备PSS基板（11）和在PSS基板（11）上形成、使最上层为添加了Si的Si掺杂GaN层（14）的III族氮化物半导体层，III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层（14）具有Si浓度倾斜层（14b），所述Si浓度倾斜层（14b）的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm-3以上5×1017cm-3以下。

主权项

一种氮化物半导体模板，其具备基板和在所述基板上形成、使最上层为添加了Si的Si添加层的III族氮化物半导体层，所述III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层具有Si浓度倾斜层，所述Si浓度倾斜层的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在所述III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm‑3以上5×1017cm‑3以下。