发明名称 Method for Manufacturing Single Crystal Ingot, and Wafer manufactured by the same
摘要 실시예는 단결정 잉곳 제조방법 및 이에 의해 제조된 웨이퍼에 관한 것이다. 실시예에 따른 단결정 잉곳 제조방법은 도가니에 잉곳을 인상하면서 성장하는 단계와 상기 잉곳을 냉각하는 단계를 포함하는 단결정 잉곳의 제조방법에 있어서, 상기 잉곳을 인상하는 단계에서, 잉곳의 인상속도는 80nm 미만의 베이컨시가 생성되도록 설정되며, 상기 잉곳을 1000~1200℃의 구간에서 냉각하는 하는 경우, 상기 잉곳의 냉각속도는 상기 80nm 미만의 베이컨시가 80nm 이상의 베이컨시로 성장할 수 있도록 서냉하는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR101275418(B1) 申请公布日期 2013.06.14
申请号 KR20100023158 申请日期 2010.03.16
申请人 发明人
分类号 C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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