ENHANCED PROCESS AND PROFILE SIMULATOR ALGORITHMS

摘要

프로세스 및 프로파일 시뮬레이터 알고리즘 향상 방법은 주어진 플라즈마 처리가 실시되는 표면 프로파일을 예측한다. 활동적인 입자는 우선 추적된다. 그 후 활동적인 입자에 의해 생성되는 이온 플럭스가 기록된다. 로컬 에칭율 및 로컬 증착율이 중성 플럭스, 표면의 화학적 커버리지, 및 표면 재료 형태로부터 계산되며, 이들은 동시에 계산된다.