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<p>반도체 소자용 배선 구조물 및 이의 형성방법이 개시된다. 반도체 기판 상에 다수의 도전성 구조물들 사이의 공간을 매립하고 상부면이 평탄화 된 절연막을 형성하고, 절연막을 부분적으로 제거하여 기판의 일부를 노출하는 개구를 형성한다. 개구의 하부 측벽 및 바닥면을 따라 형성된 잔류 금속막 및 개구의 상부측벽과 상기 잔류 금속막의 표면을 따라 형성된 금속 질화막을 포함하는 장벽층을 형성한다. 장벽층을 포함하는 개구를 매립하여 금속 플러그를 형성한다. 콘택 플러그 형성을 위한 평탄화 공정에서 장벽층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.</p> |
