| 摘要 |
<p>Die Offenbarung richtet sich auf das Laserhärten beziehungsweise Ausheilen von lichtemittierenden GaN-Dioden (LEDs) mit reduzierten Mustereffekten. Ein Verfahren umfasst das Bilden länglicher leitfähiger Strukturen oben auf entweder einer n-GaN-Schicht oder einer p-GaN-Schicht einer GaN-LED-Struktur, wobei die länglichen leitfähigen Strukturen lange und kurze Abmessungen aufweisen und voneinander beabstandet sind und im Wesentlichen in den langen Abmessungen ausgerichtet sind. Das Verfahren umfasst ebenfalls das Erzeugen eines P-polarisierten Härtungslaserstrahls beziehungsweise Ausheillaserstrahles, der eine Härtungswellenlänge beziehungsweise Ausheilwellenlänge aufweist, die größer ist als die kurze Abmessung. Das Verfahren umfasst ebenfalls das Bestrahlen entweder der n-GaN-Schicht oder der p-GaN-Schicht der GaN-LED-Struktur durch die leitfähigen Strukturen mit dem P-polarisierten Härtungslaserstrahl beziehungsweise Ausheillaserstrahl, einschließlich dem Ausrichten des Härtungslaserstrahls beziehungsweise Ausheillaserstrahles relativ zu den leitfähigen Strukturen, so dass die Polarisationsrichtung senkrecht zur langen Abmessung der leitfähigen Strukturen ist.</p> |
