通过快速热压制备梯度硅铝合金电子封装材料的方法

摘要

本发明公开了一种通过快速热压制备梯度硅铝合金电子封装材料的方法，将气体雾化的硅铝合金粉和纯铝粉按比例进行混料，分别获得硅的质量百分比为5-60％的不同组分的混合料；将不同组分的混合料按照硅的质量百分比从大到小或从小到大的顺序平铺装入模具中，不同组分的混合料平铺后在模具中的厚度相等，在氩气气氛中以380-500℃、10-50MPa的压力预烧结10-20分钟，然后在600-900℃下烧结0.5-2小时；再降温至380-500℃，并以10-50MPa的压力保压0.5-2小时，脱模即得梯度硅铝合金材料。本发明方法设备简单，效率高，产品性能稳定，制备过程可控性重复性好，具有极高的工业应用价值。

主权项

通过快速热压制备梯度硅铝合金电子封装材料的方法，其特征在于按以下步骤操作：a、将气体雾化的硅铝合金粉和纯铝粉按比例进行混料，分别获得硅的质量百分比为5‑60%的不同组分的混合料；所述不同组分的混合料中硅的质量百分比构成等差数列，所述等差数列的公差为5‑10%；b、将所述不同组分的混合料按照硅的质量百分比从大到小或从小到大的顺序平铺装入模具中，不同组分的混合料平铺后在模具中的厚度相等，在氩气气氛中以380‑500℃、10‑50MPa的压力预烧结10‑20分钟，然后在600‑900℃下烧结0.5‑2小时；再降温至380‑500℃，并以10‑50MPa的压力保压0.5‑2小时；c、脱模即得相对密度大于99%的梯度硅铝合金材料。