半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法

摘要

半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；(3)沉积MgO薄膜；(4)剥离光刻胶，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；(5)依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；(6)剥离MgO掩膜，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。本发明制备方法简单，而且对GaN基半导体异质结构的损伤较小，不会对器件的性能造成太大的影响。

主权项

半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；（2）通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；（3）沉积MgO薄膜；（4）剥离光刻胶，同时剥离光刻胶上的MgO薄膜，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；（5）依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；（6）剥离MgO掩膜，同时剥离MgO掩膜上的铁电氧化物薄膜层和金属层，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。