| 发明名称 | 蚀刻方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103155116A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201180046520.0 | 申请日期 | 2011.09.22 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 功刀俊介;真弓聪 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 龚敏 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其特征在于，是在大气压附近的处理空间中使用含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体来蚀刻含硅物的蚀刻方法，包括：前处理工序，其是使含有第二氧化性反应成分的处理流体与含有所述含硅物的被处理物接触的工序，以及蚀刻处理工序，其是在所述前处理工序之后，在以横穿所述处理空间内的方式使所述被处理物相对于所述处理空间相对地移动的同时，将所述处理气体供给至所述处理空间或者在所述处理空间内生成所述处理气体的所述各反应成分的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||