发明名称 |
电容构造及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种电容构造及其制作方法,所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上;所述复合材料层设于所述钽金属层上;以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材,并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层,再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层,以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本,本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本,且能相对提升电容构造的电性表现。 |
申请公布号 |
CN103151339A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201310046969.8 |
申请日期 |
2013.02.08 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
钟旻华;周泽川;唐和明;杨秉丰 |
分类号 |
H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种电容构造,其特征在于:所述电容构造包含:一第一金属层;一钽金属层,设于所述第一金属层上;一复合材料层,设于所述钽金属层上,所述复合材料层包含五氧化二钽基材,并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒,所述二氧化钛复合材料颗粒是包含二氧化钛颗粒以及五氧化二钽与二氧化钛化合物颗粒;及一第二金属层,设于所述复合材料层上。 |
地址 |
中国台湾高雄巿楠梓加工区经三路26号 |