发明名称 电容传感器设备
摘要 本发明涉及产生关于其空间膨胀而受显著影响的电场的布置和包括该布置的传感器设备。本发明目标是提供能生成准静电交变电场的方案,其中准静电交变电场以关于在实践为监视和信号传输区域的相关优选区域中聚焦的精确方式而膨胀。通过包括以下的电路布置实现目标:场生成电极设备,连接到LC网络,并以如下方式暴露到场的空间区:包括电极设备的电容器系统的电容根据在场的空间区内出现的材料的介电特性而变化;绝缘体层,在场电极设备后侧延伸,该场电极设备背离场的空间区;屏蔽电极设备,在绝缘层后侧延伸,该绝缘层背离场电极设备;和场消失电极设备,包括朝向消失区的电极表面。以由场的空间区和消失区彼此部分重叠的方式布置场膨胀电极设备和场消失电极设备并使其经受电压。
申请公布号 CN101449461B 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN200780017223.7 申请日期 2007.03.13
申请人 艾登特技术股份公司 发明人 克劳斯·卡尔特纳
分类号 H03K17/955(2006.01)I 主分类号 H03K17/955(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临
主权项 一种电路布置,包括:‑场生成电极设备,其被并入LC‑网络中并包括在第一平面中布置的电极表面区域,并且以如下方式朝向场空间暴露:包括所述场生成电极的电容器系统的电容响应于所述场空间内出现的材料的介电特性而变化,‑绝缘体层,在所述场生成电极设备的与所述电极表面区域相反的后侧延伸,并且背离所述场空间,‑屏蔽电极设备,在所述绝缘体层的后侧延伸,并且背离所述场空间,其中,所述屏蔽电极设备包括在第二平面中布置的屏蔽电极表面区域,所述第二平面通过所述绝缘体层而与所述第一平面偏移,使得所述第二平面不与所述第一平面共面,以及‑场消失电极设备,其包括在所述第二平面中布置且面向消失区的电极区,其中以所述场空间和消失空间彼此部分重叠的方式来布置所述场生成电极设备和场消失电极设备并向其施加电压。
地址 德国吉尔辛