外延涂覆半导体晶片

摘要

本发明涉及用于制造经外延涂覆的半导体晶片的方法，其中制备多个至少在其正面上抛光的半导体晶片，并且均依次单独通过化学气相沉积法在外延反应器内于800至1200℃的温度下将外延层施加到其经抛光的正面上而通过以下步骤进行涂覆：分别将一片所制备的半导体晶片支撑在根据本发明的装置上，从而使该半导体晶片位于该环上，该半导体晶片的背面朝向具有透气性结构的基座的底部，但是不接触该基座，从而通过气体扩散使气态物质从该半导体晶片的背面上方的区域透过该基座导入基座的背面上方的区域内，此外该半导体晶片仅在其背面的边缘区域内与该环相接触，其中在半导体晶片内完全不会产生利用光弹性应力测量法（“SIRD”）可测的应力。

主权项

包括正面及背面的半导体晶片，在其正面上具有根据光弹性应力测量法（“SIRD”）无应力的外延层，此外以面积为2mm×2mm的正方形测量窗为基准，该半导体晶片在其背面上具有表示为高度变化PV（“峰至谷”）的大于或等于2纳米并且小于或等于5纳米的纳米形貌，而表示为光雾的背面“晕圈”大于或等于0.1ppm并且小于或等于5ppm。