| 发明名称 | 集成电路和互连及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开一般涉及集成电路（IC）、IC互连及其制造方法，更具体地，涉及高性能电感器。IC（10）包括设置在衬底（30）上的介电层25内的至少一个沟槽（20）。所述沟槽被共形地涂敷有衬里和种子层（35），且包括其内的互连（40）。互连包括在互连的侧壁上的硬掩模（45）。 | ||
| 申请公布号 | CN103155107A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201180048087.4 | 申请日期 | 2011.09.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·A·德穆恩克;何忠祥;D·R·米加;M·D·穆恩;D·S·范斯莱特;E·J·怀特 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：设置在衬底上的介电层内的至少一个沟槽，所述沟槽被共形地涂敷有衬里和种子层；以及所述沟槽内的互连，所述互连包括所述互连的侧壁上的硬掩模。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||