发明名称 |
含铱元素的荧光体及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供在能量效率、色纯度、经济问题等方面没有问题、且能够有效发光的含铱第II-第VI族化合物荧光体及其制造方法。通过下述荧光体解决上述问题,所述荧光体,其特征在于,其是由含有铱的第II-第VI族化合物半导体组成的荧光体,铱从荧光体颗粒表面至内部均匀地分散。本发明还提供一种上述含铱荧光体的制造方法,其特征在于,其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的工序,使用铱络合物作为铱化合物。 |
申请公布号 |
CN101652450B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN200880011518.8 |
申请日期 |
2008.04.08 |
申请人 |
株式会社可乐丽 |
发明人 |
高井淳;辻嘉久;岩崎秀治 |
分类号 |
C09K11/56(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种荧光体,其特征在于,其是以包含铱元素的第II‑第VI族化合物半导体作为母体的荧光体,铱元素从荧光体表面至内部均匀地分散。 |
地址 |
日本冈山县 |