发明名称 含铱元素的荧光体及其制造方法
摘要 本发明提供在能量效率、色纯度、经济问题等方面没有问题、且能够有效发光的含铱第II-第VI族化合物荧光体及其制造方法。通过下述荧光体解决上述问题,所述荧光体,其特征在于,其是由含有铱的第II-第VI族化合物半导体组成的荧光体,铱从荧光体颗粒表面至内部均匀地分散。本发明还提供一种上述含铱荧光体的制造方法,其特征在于,其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的工序,使用铱络合物作为铱化合物。
申请公布号 CN101652450B 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN200880011518.8 申请日期 2008.04.08
申请人 株式会社可乐丽 发明人 高井淳;辻嘉久;岩崎秀治
分类号 C09K11/56(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I 主分类号 C09K11/56(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种荧光体,其特征在于,其是以包含铱元素的第II‑第VI族化合物半导体作为母体的荧光体,铱元素从荧光体表面至内部均匀地分散。
地址 日本冈山县