在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器

摘要

一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。

主权项

一种基于(Al、Ga、In)N的二极管激光器，包括：(a)用于产生和限制具有长于515nm激光波长的绿光的多个(Al、Ga、In)N层，其包括含铟活性区；和(b)至少一个沉积在所述含铟活性区上或上方作为波导或覆盖层并且提供与所述含铟活性区的电接触的透明导电层，其中所述透明导电层包括一个或多个氧化物层或结合的(Al、Ga、In)N层，并且所述透明导电层通过除在高于550℃温度的晶体生长外的方法而被沉积以防止所述含铟活性区的降解。