| 发明名称 | 一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可修复界面缺陷和多晶硅中的缺陷态，并且可改善热载流子效应，使得TFT的特性更稳定；该多晶硅薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，所述有源层至少包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区设置于所述沟道区的两侧，所述第二掺杂区设置于所述第一掺杂区相对所述沟道区的一侧；重掺杂区设置于所述第二掺杂区相对所述第一掺杂区的一侧；其中，所述重掺杂区中离子的剂量介于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间。用于多晶硅薄膜晶体管、及包括多晶硅薄膜晶体管的阵列基板的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103151388A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310068300.9 | 申请日期 | 2013.03.05 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 王祖强 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其特征在于，所述有源层至少包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区设置于所述沟道区的两侧，所述第二掺杂区设置于所述第一掺杂区相对所述沟道区的一侧；重掺杂区设置于所述第二掺杂区相对所述第一掺杂区的一侧；其中，所述重掺杂区中离子的剂量介于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||