发明名称 |
单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型克服了继续提高太阳能电池光电转换率的困难,提供一种单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池。它应用现有成熟技术,采用透明的TCO电极以及用单晶硅和非晶硅材料设置两个子电池复合结构,充分利用了光子的辐射能量。本实用新型能显著提高单晶硅或多晶硅太阳能电池的光电转换率以及显著降低电池内阻提高负载能力而又不显著增加生产成本,而且性能稳定、无论制造和使用环节均无有毒有害物质产生。 |
申请公布号 |
CN202996851U |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201220140047.4 |
申请日期 |
2012.04.05 |
申请人 |
高永祥;林长华 |
发明人 |
高永祥;林长华 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池,其特征是用单晶硅和非晶硅材料设置两个子电池和三个电极,其结构从上至下依次为:减反射层(1),TCO电极(2),单晶硅n层(3),p‑n结(4),单晶硅p层(5),公共电极(6),非晶硅n层(7),i层(8),非晶硅p层(9),底电极(10);或者设置两个子电池和两个电极,其结构从上至下依次为:减反射层(1),TCO电极(2),单晶硅n层(3),p‑n结(4),单晶硅p层(5),非晶硅n层(7),i层(8),非晶硅p层(9),底电极(10)。 |
地址 |
510000 广东省广州市暨南大学暨南花园7栋202室 |