发明名称 |
一种直列多靶磁控溅射镀膜装置 |
摘要 |
一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,涉及溅射镀膜技术领域。系采用长宽比大于3的矩形溅射靶,在箱式真空室中,将3个以上的矩形溅射靶平行共轴排成一列,所有靶的宽度方向都平行于真空室的长边,靶间距小于矩形靶宽度的2倍。矩形溅射靶上方设置有直线运动结构,基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上,并在步进电机的驱动下沿真空室的长边作直线往复运动,直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置,从而实现单层、多层、周期性重复结构薄膜的制备。该多靶磁控溅射台具有真空室尺寸和靶的尺寸都较小,而所制备的薄膜的均匀面积较大的特点,并且还兼有抽气速度快、镀膜效率高等其他优点。 |
申请公布号 |
CN103147055A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201310067830.1 |
申请日期 |
2013.03.04 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
杜晓松;林庆浩;邱栋;蒋亚东 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李顺德;王睿 |
主权项 |
一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,包括1个真空室,真空室内设置有n个矩形溅射靶3、1个基片架、1个基片加热器、1个直线运动机构,真空室外具有1个步进电机;其特征在于,所述真空室为箱式真空室,n个矩形溅射靶相互平行并共轴排成一列,靶间距小于矩形靶宽度的2倍,所有矩形溅射靶的宽度方向都平行于真空室的长边;矩形溅射靶上方设置有一个直线运动结构,基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上,并在步进电机的驱动下能够沿真空室的长边作直线往复运动,直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置,其最大行程覆盖了所有矩形溅射靶。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |