一种离子注入工艺的监测方法

摘要

一种离子注入工艺的监测方法，通过在裸晶上先制作一层外延层，利用外延层电阻比较稳定的特性进行离子注入工艺的监测，从而获得该离子注入工艺在裸晶上的注入状态，保证了监测结果的准确性和稳定性，以及半导体制程的流畅性，节省了监测成本。

主权项

一种离子注入工艺监测方法，该监测方法使用一监测晶圆作为监测样本，对一确定参数的离子注入工艺进行监测，其特征在于，包括步骤：以所述监测晶圆为衬底，制作一外延层；在所述外延层上进行离子注入工艺，离子注入的深度小于该外延层厚度；测量所述经离子注入之后的外延层方块电阻；根据上述外延层方块电阻，计算离子在该外延层中的注入状态；根据外延层与衬底的一换算关系，得出该次离子注入工艺相对该监测晶圆的离子注入状态。