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经营范围
发明名称
Method of selectively electrolytically etching semiconductor silicon materials
摘要
申请公布号
US2998362(A)
申请公布日期
1961.08.29
申请号
US19580767703
申请日期
1958.10.16
申请人
TRANSITRON ELECTRONIC CORPORATION
发明人
HALL RODERIC E.
分类号
H01L21/3063
主分类号
H01L21/3063
代理机构
代理人
主权项
地址
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