| 发明名称 | 一种芯片电磁屏蔽结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种芯片电磁屏蔽结构，包括硅衬底、深阱和设于深阱上方的芯片，一设于芯片表面的金属屏蔽罩，所述的金属屏蔽罩由顶层密闭的矩形波屏蔽层和侧面凹凸状屏蔽层构成。本实用新型采用创新的布局布线方式，利用现有的工艺技术，结合深阱工艺，为芯片构造了一个密闭的空间，有效抵御电磁攻击，提高芯片的安全性能。 | ||
| 申请公布号 | CN202996828U | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201220701429.X | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 深圳国微技术有限公司 | 发明人 | 陈杰;王良清 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人 | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 主权项 | 一种芯片电磁屏蔽结构，包括硅衬底（1）、深阱（2）和设于深阱上方的芯片，其特征在于：还包括一设于芯片表面的金属屏蔽罩（3），所述的金属屏蔽罩由顶层密闭的矩形波屏蔽层和侧面凹凸状屏蔽层构成。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道国微大厦2F | ||