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发明名称
选择性抛光碳化矽薄膜之方法
摘要
本发明提供一种用于自基板表面较二氧化矽优先地选择性移除碳化矽之方法。该方法包括用一抛光组合物研磨基板之一表面,该抛光组合物包括一粒状研磨剂、至少一酸性缓冲剂及一含水载剂。
申请公布号
TWI398918
申请公布日期
2013.06.11
申请号
TW098141546
申请日期
2009.12.04
申请人
卡博特微电子公司 美国
发明人
沃德 威廉;强斯 提摩西
分类号
H01L21/304;B24B37/11;C09K3/14
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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