包含半导体记忆体元件之半导体装置以及其制造方法

摘要

一晶圆，此晶圆之一表面系藉由以一晶格图案配置之街型而定义出数个矩形区域，以及一半导体记忆元件，系配置于各矩形区域中，沿着街型以各别地分割上述矩形区域，因而形成数个半导体装置。在沿着街型分割此晶圆之前，先形成一厚度小于或等于0.2微米之应变层于晶圆之背部，而其厚度最好是介于0.05微米至0.2微米之间。此应变层系藉由利用一研磨件研磨半导体晶圆之背部而形成，而此研磨件系藉由一接合材料，以接合具有晶粒尺寸小于或等于4微米之钻石研磨晶粒而制成。