| 发明名称 | 光电转换装置 | ||
| 摘要 | 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN102113127B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN200980129888.6 | 申请日期 | 2009.08.20 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 山口贤刚;坂井智嗣;鹤我薰典 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 高培培;车文 |
| 主权项 | 一种光电转换装置，在基板上包括至少具备2层发电单元层的光电转换层和夹在所述发电单元层之间的中间接触层，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层主要包含由Zn1‑xMgxO(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||