| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种发光器件，包括：(A)第一电极，(B)导体膜，(C)有机层，其中设置有由有机发光材料制成的发光层，(D)半透射反射膜，(E)电阻层，以及(F)第二电极，顺次层压上述所有层，其中，导体膜使来自发光层的一部分光透过，第一电极反射已经透过导体膜的光，第二电极使已经透过半透射反射膜的光透过，第一电极上的导体膜的平均膜厚度为1nm到6nm，并且有机层上的半透射反射膜的平均膜厚度为1nm到6nm。 | ||
| 申请公布号 | CN101997086B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201010244098.7 | 申请日期 | 2010.08.02 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 中村弘史;卢星熙;山田二郎 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：(A)第一电极，(B)导体膜，(C)有机层，其中设置有由有机发光材料制成的发光层，(D)半透射反射膜，(E)电阻层，以及(F)第二电极，顺次层压上述所有层，其中所述导体膜使来自所述发光层的一部分光透过，所述第一电极反射已经透过所述导体膜的光，所述第二电极使已经透过所述半透射反射膜的光透过，所述第一电极上的所述导体膜的平均膜厚度为1nm到6nm，并且所述有机层上的所述半透射反射膜的平均膜厚度为1nm到6nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||