发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管,其包括:一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于一基底一表面,所述第一半导体层与所述基底接触设置,所述基底远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面,一第一电极与所述第一半导体层电连接,一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面,其中,所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面,所述发光二极管的出光面或所述基底与第一半导体层接触的表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面,每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。 |
申请公布号 |
CN103137817A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201110395468.1 |
申请日期 |
2011.12.03 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 |
分类号 |
H01L33/24(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/24(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,其包括:一第一半导体层设置于一基底的一表面,所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面,所述第一表面与所述基底相邻,所述基底的远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面;一活性层以及一第二半导体层依次层叠于所述第一半导体层的第二表面,且所述活性层与所述第一半导体层相邻;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的整个表面;其特征在于,所述第一半导体层的第二表面及所述基底远离第一半导体层的表面均为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面,其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度,所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |