发明名称 |
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法,属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底,所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成,在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层,掺杂类型为N型;所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层,从内到外依次为:第二掺杂层和第三掺杂层,所述的第二掺杂层掺杂类型为P型,所述第三掺杂层掺杂类型为N型;所述硅面一侧设置有开关的阳极,所述的碳面的一侧设置有开关的阴极。本发明的碳化硅光电导开关在提高开关击穿电压的同时并没有降低开关的导通特性。 |
申请公布号 |
CN103137772A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201310038265.6 |
申请日期 |
2013.01.31 |
申请人 |
安徽工业大学 |
发明人 |
周郁明;姜浩楠 |
分类号 |
H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/103(2006.01)I |
代理机构 |
南京知识律师事务所 32207 |
代理人 |
蒋海军 |
主权项 |
新型多层结构碳化硅光电导开关,它包括衬底(1),所述的衬底(1)由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成,其特征在于:在所述衬底(1)的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层(2),掺杂类型为N型;所述衬底(1)的碳面上有两层导电类型的掺杂层,从内到外依次为:第二掺杂层(3)和第三掺杂层(4),所述的第二掺杂层(3)掺杂类型为P型,所述的第三掺杂层(4)掺杂类型为N型;所述硅面一侧设置有开关的阳极(5),所述的碳面的一侧设置有开关的阴极(6)。 |
地址 |
243032 安徽省马鞍山市马向路新城东区安徽工业大学(东校区)电气信息学院 |