具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包括至少一层低温插入层。所述插入层是AlxGal-xN，其中0≤x≤1或者InyAl1-yN，其中0≤y≤1或者AlaInbGal-a-bN，其中0≤a＜1，0≤b＜1。所述插入层的生长温度是500-1000℃。该发光二极管可以降低InGaN/GaN多量子阱中的应力，增加发光强度并显著改善大电流注入下的效率下降问题。

主权项

一种氮化镓系发光二极管，其包括： 衬底； 氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上； 缓冲层，该缓冲层制作在所述氮化镓成核层上； n型接触层，该n型接触层制作在该缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成； n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层内部，其上下均为n型接触层； 活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面； 负电极，该负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上，且其位于n型插入层的下方； p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上； p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成； 正电极，该正电极制作在p型接触层上。