发明名称 | 用于微电子装置中接合的二次合金1N铜线 | ||
摘要 | 一种用于微电子学中接合的二次合金1N铜线,其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性合金材料,其中所述耐腐蚀性合金材料的浓度在约0.09wt%与约9.9wt%之间。 | ||
申请公布号 | CN103137235A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
申请号 | CN201210510470.3 | 申请日期 | 2012.12.03 |
申请人 | 贺利氏材料科技公司 | 发明人 | 穆拉利·萨兰加帕尼;杨平熹;欧根·米尔克 |
分类号 | H01B1/02(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
主权项 | 一种用于微电子学中接合的二次合金1N铜线,其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性合金材料,其中所述耐腐蚀性合金材料的浓度在约0.99wt%与约9.9wt%之间。 | ||
地址 | 德国哈瑙 |