发明名称 |
半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构 |
摘要 |
一种半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构。半导体结构包括载板及芯片。载板包括电性接点,而芯片包括导电柱。导电柱与电性接点结合成一体化结构,一体化结构具有凸缘。 |
申请公布号 |
CN103137507A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201310056493.6 |
申请日期 |
2013.02.21 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
陈银发;蔡宗岳;张效铨;陈灿贤;杨秉丰;赖逸少 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,其中该晶圆上形成有数个导电柱;形成一底胶至少包覆各该导电柱的一端面;单一化该晶圆,以形成至少一芯片,其中该芯片包括至少一该导电柱;对准该芯片的该导电柱的该端面与一载板的一电性接点;驱动该芯片的该导电柱往该载板的该电性接点移动,直到该芯片的该导电柱的该端面接触该载板的该电性接点;加热该底胶,直到该底胶转变成可流动性并覆盖该载板的该电性接点;以及驱动该芯片的该导电柱横向研磨该电性接点,直到该导电柱与该电性接点之间产生塑性金属流动而结合。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |