发明名称 半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构
摘要 一种半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构。半导体结构包括载板及芯片。载板包括电性接点,而芯片包括导电柱。导电柱与电性接点结合成一体化结构,一体化结构具有凸缘。
申请公布号 CN103137507A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201310056493.6 申请日期 2013.02.21
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈银发;蔡宗岳;张效铨;陈灿贤;杨秉丰;赖逸少
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,其中该晶圆上形成有数个导电柱;形成一底胶至少包覆各该导电柱的一端面;单一化该晶圆,以形成至少一芯片,其中该芯片包括至少一该导电柱;对准该芯片的该导电柱的该端面与一载板的一电性接点;驱动该芯片的该导电柱往该载板的该电性接点移动,直到该芯片的该导电柱的该端面接触该载板的该电性接点;加热该底胶,直到该底胶转变成可流动性并覆盖该载板的该电性接点;以及驱动该芯片的该导电柱横向研磨该电性接点,直到该导电柱与该电性接点之间产生塑性金属流动而结合。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号